omniture

更小面积,更强性能 -- 三星推出8nm射频工艺技术

2021-06-09 10:00 11833
今日,三星宣布開發新一代“8納米射頻(RF)工藝技術”,強化5G通信芯片的解決方案。

韓國首尔2021年6月9日 /美通社/ -- 今日,三星宣布開發新一代“8納米射頻(RF)工藝技術”,強化5G通信芯片的解決方案。

三星半導體韓國H3晶圆代工厂全景
三星半導體韓國H3晶圆代工厂全景

這種先進的制造技術支持5G通信的多通道和多天線芯片設計,期待爲5G通信提供单芯片的解决方案(One Chip Solution)。三星的8nm RF平台扩展计划,有望增强从Sub-6GHz到毫米波(mmWave)应用的5G半導體代工市场地位。

三星8nm RF是从已有28nm14nm RF代工解决方案拓展的新一代工艺技术。自2017年至今,三星以高端智能手机为主,已生产了超过5亿颗的RF 芯片,在RF芯片代工市场拥有了一席之地。

“通過技術創新和制造工藝的精益求精我们推出了下一代无线通信的代工技术方案,”三星电子代工技术开发团队负责人Hyung Jin Lee表示“随着5G毫米波的应用扩大,三星的8nm RF技术为客户提供更好的解决方案,满足客户不断提升的用户体验,在小的芯片上提供更长的电池使用时间,高质量的通信信号。”

三星新一代RFeFET? 器件結構

RF芯片把接受的射頻信號轉換數字信號用于數字處理,把處理後的數字信號轉換爲射頻信號用于發射。RF工藝技術中,模擬/RF器件性能和數字器件性能都非常重要。

随着半導體工艺节点的缩微,数字电路在性能,功耗和面积上都有显著改善,然而模拟/RF 模块由于寄生特性难以缩微。由于线宽较窄,导致电阻增加,RF信号放大性能减弱,功耗增加,RF芯片整体性能下降。

为了克服模拟/RF电路在工艺缩微时的技术挑战,三星开发了一种名为“RFeFET?(RF extremeFET)”的独特RF器件结构,新的结构只在8nm RF平台上提供,新的RF器件使用小的功率就能提升RF性能。与此前的14nm工艺相比,三星“RFeFET?(RF extremeFET)”可以帮忙数字电路的缩微,同时提升模拟/RF性能,提供高性能的5G技术平台。

工藝優化包括增加電子遷移率,降低寄生參數。由于RFeFET?的性能的提升,射頻芯片中晶體管的總數可以減少,模擬電路的面積可以減少。

由于三星“RFeFET?(RF extremeFET)”的创新,与此前的14nm工艺相比,三星的8nm RF工艺可减少约35%的射频芯片面积,且能效也有约35%的提升。

*本廣告中的産品圖片以及型號、數據、功能、性能、規格參數、特點和其他産品信息(包括但不限于産品的優勢、組件、性能、可用性和能力)等僅供參考,三星有可能對上述內容進行改進,且均無需通知或不受約束即可變更,具體信息請參照産品實物、産品說明書。除非經特殊說明,本廣告中所涉及的數據均爲三星內部測試結果,本廣告中涉及的對比均爲與三星産品相比較。

 

 
消息来源:Samsung Electronics Co., Ltd.
相關股票:
Korea:005930 OTC:SSNHZ
China-PRNewsire-300-300.png
相關鏈接:
  • https://www.samsung.com/us/aboutsamsung/home/
全球TMT
微信公众号“全球TMT”发布全球互联网、科技、媒体、通讯企业的经营动态、財報信息、企业并购消息。扫描二维码,立即订阅!
collection